Les régions actives du génome sont particulièrement fragiles et des cassures double-brin de l’ADN peuvent survenir dans les gènes en cours de transcription. Des structures particulières d’hybrides ARN/ADN, également appelées « R-loops », ont alors tendance à s’accumuler au niveau de ces cassures dans les gènes actifs.
Dans un article paru dans la revue Nature Communications, l’équipe de Gaëlle Legube (MCD-CBI) montre qu’en l’absence de dissolution des hybrides ARN/ADN, la protéine BLM (ADN hélicase) favorise une synthèse anormale d’ADN aux cassures, ce qui conduit à la toxicité cellulaire. Ces résultats permettent de mieux comprendre le mécanisme par lequel l’accumulation de R-loops au niveau des cassures de l’ADN est toxique.
© Ikrame Lazar, Nadine Puget et Gaëlle Legube
© Ikrame Lazar et Gaëlle Legube
Figure : Modèle du recrutement de BLM suite aux cassures double-brin de l’ADN induites dans les gènes actifs. En l’absence de la sénataxine (SETX), les R-loops s’accumulent et favorisent le recrutement de BLM qui, de façon coordonnée avec POLD3, induit une réparation incorrecte de l’ADN, ces mécanismes aboutissant à une forte toxicité cellulaire.
Pour en savoir plus :
https://www.insb.cnrs.fr/fr/cnrsinfo/le-double-jeu-de-blm-aux-cassures-de-ladn
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